Форм-фактор:
PCIe HHHL
Назначение (тип компьютера):
- для критичных систем
Тип ячеек памяти:
MLC NAND (Multi Level Cell)
Нормы технологического процесса производства:
20 nm
Контроллер:
NVMe Controller (Dual)
Тип интерфейса памяти:
н.д.
Возможные размеры сектора, байт:
512, 520, 528, 4096, 4104, 4160, 4224
Потребление электроэнергии во время простоя, Вт:
11.5
Потребление электроэнергии во время чтения/записи:
35
Технологии:
- NVMe 1.0 >>>
- Power Lost Data Protection >>>
- T10 DIF Protection >>>
Скоростные характеристики
Объем кэш-памяти (DRAM), Гб:
нет данных
Средний уровень задержки (Latency), мсек.:
нет данных
Максимальная скорость чтения, Мб/сек.:
4500
Максимальная скорость записи, Мб/сек.:
2600
Скорость произвольного чтения (4 KiB), IOPS:
850000
Скорость произвольной записи (4 KiB), IOPS:
80000
Характеристики объема
Емкость, Гб:
3200 (3.2 Тб)
Характеристики надежности
Вероятность невосстановимых ошибок чтения (UBER):
1 ошибка на 10E17
Total Bytes Written (TBW), TB:
17520
Disk Write per Day (DWPD):
3
ECC(error-correcting code):
да
Количество циклов стирания/перезаписи ячеек памяти, тыс.:
нет данных
Время до отказа. (Mean time between failures) (MTBF), млн.ч.:
1
Диапазон рабочих температур окружающей среды, (Co):
0 - 55 C
Annualized failure rate (AFR), %:
нет данных
: