Настройки (параметры) BIOS, UEFI
Информационные технологии для экспертов
Логин: Пароль:
восстановить пароль | зарегистрироваться
Войти через:
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:

       

СПРАВОЧНИК ПО НАСТРОЙКАМ БИОС - [518]

Название (синонимы) параметра
Назначение параметра
Тип
Варианты значений параметра
Особенности значений параметров и их влияние на работу компьютера
IT4XP / СПРАВОЧНИК ПО НАСТРОЙКАМ БИОС

CPU Power Duty Control  >>>

  136  

Параметр устанавливает режим контроля нагрузки на каждой фазе питания центрального процессора.

параметр
 - T.Probe
 - Extreme

Описание значений параметров:

T.Probe - в данном случае нагрузка будет зависеть от температуры VRM (Voltage regulator module) - регулятора напряжения.
Extreme - не учитывается температура VRM. Экстремальный режим работы VRM. Рекомендуется включить при разгоне. Однако необходимо обеспечить хорошее охлаждение элементов фаз питания CPU на материнской плате.

Проявление неисправностей: Установка значения параметра в "Extreme" может привести к перегреву элементов VRM в случае их недостаточного охлаждения и возможному выходу из строя.

Data Drive Strength  >>>

  292  

Группа третичных таймингов. Параметр задает уровень мощности сигнала Data, передающего, собственно, данные.

параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - Используется значение, определенное в SPD-микросхеме модуля памяти.
X - Значения 0.75x, 1.00x, 1.25x, 1.50x.

Особенности:

Большее значение может повысить стабильность работы оперативной памяти, но ценой повышенного энергопотребления.

MEMCLK Drive Strength  >>>

  272  

Группа третичных таймингов. Параметр задает уровень мощности сигнала MEMCLK, задающего такт для работы чипов памяти (тактовую частоту).

параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - Используется значение, определенное в SPD-микросхеме модуля памяти.
X - Значения 1.00x, 1.25x, 1.50x, 2.00x.

Особенности:

Большее значение может повысить стабильность работы оперативной памяти, но ценой повышенного энергопотребления.

DQS fine delay  >>>

  265  

Группа третичных таймингов. Параметр определяет задержку отправки DQS с момента его формирования.

DQS - это строб-сигнал, предназначенный для синхронизации передаваемых данных в оперативной памяти типа DDR. На каждый 8 бит данных передается один DQS-сигнал.

параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - значение выбирается автоматически.
X - значение от 0 до 31.

DQS setup time  >>>

  134  

Группа третичных таймингов. Параметр определяет время, в течение которого формируется управляющий сигнал DQS.

DQS - это строб-сигнал, предназначенный для синхронизации передаваемых данных в оперативной памяти типа DDR. На каждый 8 бит данных передается один DQS-сигнал.

параметр
 - Auto
 - 1/2 MEMCLK Delay
 - 1 MEMCLK Delay

Описание значений параметров:

Auto - время формирования DQS определяется автоматически,
1/2 MEMCLK Delay - время равно 1/2 одного такта частоты памяти,
1 MEMCLK Delay - время равно одному такту частоты памяти.

DQS Drive Strength  >>>

  155  

Группа третичных таймингов. Параметр задает уровень мощности управляющего сигнала DQS.

DQS - это строб-сигнал, предназначенный для синхронизации передаваемых данных в оперативной памяти типа DDR. На каждый 8 бит данных передается один DQS-сигнал.

параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - Используется значение, определенное в SPD-микросхеме модуля памяти.
X - Значения 0.75x, 1.00x, 1.25x, 1.50x.

Особенности:

Большее значение может повысить стабильность работы оперативной памяти, но ценой повышенного энергопотребления.

ADDR/CMD fine delay  >>>

 - address/command fine delay
  170  

Группа третичных таймингов. Параметр определяет задержку отправки сигналов ADDR и CMD с момента их формирования.

ADDR и CMD являются сигналами оперативной памяти, предназначенными для выбора адреса ячейки в памяти и назначения команды для каких-либо манипуляций с ячейкой, строкой, столбцом, банком и т.д. соответственно

параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - значение выбирается автоматически.
X - значение от 0 до 31.

ADDR/CMD setup time  >>>

 - address/command setup time
  152  

Группа третичных таймингов. Параметр определяет время, в течение которого формируются сигналы ADDR и CMD.

ADDR и CMD являются сигналами оперативной памяти, предназначенными для выбора адреса ячейки в памяти и назначения команды для каких-либо манипуляций с ячейкой, строкой, столбцом, банком и т.д. соответственно

параметр
 - Auto
 - 1/2 MEMCLK Delay
 - 1 MEMCLK Delay

Описание значений параметров:

Auto - время формирования ADDR/CMD определяется автоматически,
1/2 MEMCLK Delay - время равно 1/2 одного такта частоты памяти,
1 MEMCLK Delay - время равно одному такту частоты памяти.

ADDR/CMD Drive Strength  >>>

 - address/command Drive Strength
  150  

Группа третичных таймингов. Параметр задает уровень мощности сигнала ADDR/CMD.

ADDR и CMD являются сигналами оперативной памяти, предназначенными для выбора адреса ячейки в памяти и назначения команды для каких-либо манипуляций с ячейкой, строкой, столбцом, банком и т.д. соответственно

параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - Используется значение, определенное в SPD-микросхеме модуля памяти.
X - Значения 1.00x, 1.25x, 1.50x, 2.00x.

Особенности:

Большее значение может повысить стабильность работы оперативной памяти, но ценой повышенного энергопотребления.

CS/ODT fine delay  >>>

  211  
Параметр определяет задержку отправки управляющих сигналов CS и ODT с момента их формирования.

CS (Chip Select) отвечает за выбор чипа памяти для операций чтения/записи с ним.

ODT (On-Die Termination) отвечает за включение/отключение электрического сопротивления в конце цепи в чипах памяти, которое призвано гасить отраженный нежелательный сигнал, возникающий на границе сред проводник-диэлектрик.

параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - значение выбирается автоматически.
X - значение от 0 до 31.

CS/ODT setup time  >>>

  215  
Параметр определяет время, в течение которого формируются управляющие сигналы CS и ODT.

CS (Chip Select) отвечает за выбор чипа памяти для операций чтения/записи с ним.

ODT (On-Die Termination) отвечает за включение/отключение электрического сопротивления в конце цепи в чипах памяти, которое призвано гасить отраженный нежелательный сигнал, возникающий на границе сред проводник-диэлектрик.

параметр
 - Auto
 - 1/2 MEMCLK Delay
 - 1 MEMCLK Delay

Описание значений параметров:

Auto - время формирования CS/ODT определяется автоматически,
1/2 MEMCLK Delay - время равно 1/2 одного такта частоты памяти,
1 MEMCLK Delay - время равно одному такту частоты памяти.

CS/ODT Drive Strength  >>>

  205  

Группа третичных таймингов. Параметр задает уровень мощности сигнала CS/ODT.

CS и ODT являются одними из нескольких управляющих сигналов оперативной памяти (в дополнение к основному тактовому), которые дискретизируются по переднему фронту тактового сигнала.

CS (Chip Select) отвечает за выбор чипа памяти для операций чтения/записи с ним.

ODT (On-Die Termination) отвечает за включение/отключение электрического сопротивления в конце цепи в чипах памяти, которое призвано гасить отраженный нежелательный сигнал, возникающий на границе сред проводник-диэлектрик.

параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - Используется значение, определенное в SPD-микросхеме модуля памяти.
X - Значения 1.00x, 1.25x, 1.50x, 2.00x.

Особенности:

Большее значение может повысить стабильность работы оперативной памяти, но ценой повышенного энергопотребления.

CKE fine delay  >>>

  141  
Параметр определяет задержку отправки управляющего сигнала CKE с момента его формирования.
параметр
 - Auto
 - X

Описание значений параметров:

Auto - значение выбирается автоматически.
X - значение от 0 до 31.

CKE setup time  >>>

  202  
Параметр определяет время, в течение которого формируется управляющий сигнал CKE (Clock-Enable). CKE HIGH и CKE LOW - две разновидности CKE. Управляют режимом энергопотребления оперативной памяти.
параметр
 - Auto
 - 1/2 MEMCLK Delay
 - 1 MEMCLK Delay

Описание значений параметров:

Auto - время формирования CKE определяется автоматически,
1/2 MEMCLK Delay - время равно 1/2 одного такта частоты памяти,
1 MEMCLK Delay - время равно одному такту частоты памяти.

CPU On-Die Termination  >>>

  278  

Параметр устанавливает сопротивление оконечных (терминирующих) резисторов в контроллере памяти (интегрированном в CPU). Данные резисторы позволяют уменьшить паразитное отражение сигналов оперативной памяти обратно в цепь, которое происходит в конце электрической цепи на границе проводника/диэлектрика. Это приводит к возникновению помех и к повышению вероятности ошибок.

Более низкое значение улучшает способность резисторов поглощать приходящие сигналы, уменьшая интенсивность их отражения и, таким образом, улучшать качество сигнала. Однако цена этому - повышенное энергопотребление.

Уровень сопротивления терминирующих резисторов зависит от типа модулей оперативной памяти и их количества. Оптимальный уровень сопротивления знает производитель памяти. В качестве ориентира может служить данная таблица:


1 модуль памяти / канал: 300 Ом
2 модуля / канала памяти: 150 Ом
4 модуля / канала памяти: 75 Ом
параметр
 - Auto
 - 60 ohms +/- 20%
 - 80 ohms +/- 20%
 - 120 ohms +/- 20%
 - 240 ohms +/- 20%

Описание значений параметров:

Auto - уровень сопротивления выбирается автоматически,
60 ohms +/- 20% - режим работы по умолчанию,
80 ohms +/- 20% - режим работы по умолчанию,
120 ohms +/- 20% - режим работы по умолчанию,
240 ohms +/- 20% - режим, обеспечивающий бОльшую стабильность.

Особенности:

Данный параметр улучшает стабильность работы оперативной памяти, особенно в случае ее разгона.

Load Optimized Defaults  >>>

  88  
Выполняет установку оптимальных значений всех параметров BIOS, т.е. таких значений, при которых система будет работать максимально быстро и стабильно.
функция

Load Fail-Safe Defaults  >>>

  88  
Выполняет установку безопасных значений всех параметров BIOS, т.е. таких значений, при которых система наверняка сможет загрузиться. Рекомендуется применить, если были изменены некоторые параметры, но вы не помните какие, а компьютер работает не стабильно или не загружается.
функция

CPU Voltage Control  >>>

  70  
Параметр позволяет увеличить напряжение питания центрального процессора.
параметр
 - Normal
 - X

Описание значений параметров:

Normal - напряжение питания системной шины будет в пределах нормы,
X - значение в вольтах.

Проявление неисправностей: Чрезмерное увеличение напряжения может привести к неработоспособности или сокращению срока службы процессора. Также увеличение напряжения способствует более интенсивному нагреву процессора, что потребует лучшего его охлаждения.

FSB OverVoltage Control  >>>

  59  
Параметр позволяет увеличить напряжение питания системной шины.
параметр
 - Normal
 - X

Описание значений параметров:

Normal - напряжение питания системной шины будет в пределах нормы,
X - значение в вольтах, на которое будет увеличено напряжение питания. Т.е., итоговое напряжение составит: Normal + Х

Проявление неисправностей: Чрезмерное увеличение напряжения может привести к неработоспособности или сокращению срока службы материнской платы.

DDR (DDR2, DDR3, DDR4) OverVoltage Control  >>>

  79  
Параметр позволяет увеличить напряжение питания оперативной памяти.
параметр
 - Normal
 - X

Описание значений параметров:

Normal - напряжение питания памяти будет в пределах нормы,
X - значение в вольтах, на которое будет увеличено напряжение питания. Т.е., итоговое напряжение составит: Normal + Х

Проявление неисправностей: Чрезмерное увеличение напряжения может привести к неработоспособности или сокращению срока службы оперативной памяти.
 1 
 
2
 
3
 
4
 
5
 
»
конец
 

       
НАЗНАЧЕНИЕ КОРЗИНЫ

Корзина не предназначена для покупки товаров, поскольку сайт не занимается продажами.

Функция корзины заключается всборе компьютерных комплектующих в собственную базу (требуется регистрация на сайте) и сравнении их между собой.

Сбор компьютерных комплектующих в собственную базу: Эта фанкция необходима для виртуальной сборки компьютера. Требуется регистрация на сайте.

Сравнение комплектующих: Можно сравнить только комплектующие следующих групп: 1. Жёсткие диски. 2. Твердотельные диски. 3. Оперативная память. 4. Видеокарты. 5. Центральные процессоры. 6. Материнские платы.