Форм-фактор:
			PCIe HHHL
			
			Назначение (тип компьютера):
			
				- для критичных систем			
			
			Тип ячеек памяти:
			eMLC NAND (Enterprise Multi-Level Cell)
			
			
			Нормы технологического процесса производства:
			нет данных
						
			
			Контроллер:
			
					нет данных			
			
			Тип интерфейса памяти:
			н.д.
			
			Возможные размеры сектора, байт:
			
							
			
			
			Потребление электроэнергии во время простоя, Вт:
			нет данных
			
			Потребление электроэнергии во время чтения/записи:
			25
			
			
			Технологии:
			
				- NVMe 1.1b >>>
- TRIM >>>
			
			
			
			
			Скоростные характеристики
				Объем кэш-памяти (DRAM), Гб:
				нет данных
				
			
				Средний уровень задержки (Latency), мсек.:
				0.014
				
				
				Максимальная скорость чтения, Мб/сек.:
				3000
				
				Максимальная скорость записи, Мб/сек.:
				1600
				
				Скорость произвольного чтения (4 KiB), IOPS:
				750000
				
				Скорость произвольной записи (4 KiB), IOPS:
				435000
				
		 
		
			Характеристики объема
				Емкость, Гб:
				3200 (3.2 Тб)
				
				
			Характеристики надежности
				Вероятность невосстановимых ошибок чтения (UBER):
				1 ошибка на 10E17
				
				Total Bytes Written (TBW), TB:
				нет данных
				
				
				Disk Write per Day (DWPD):
				9
				
				
				ECC(error-correcting code):
				да
							
				Количество циклов стирания/перезаписи ячеек памяти, тыс.:
				нет данных
				
				
				Время до отказа. (Mean time between failures) (MTBF), млн.ч.:
				2
				
				
				Диапазон рабочих температур окружающей среды, (Co):
				0 - 55 C
				
				
				Annualized failure rate (AFR), %:
				нет данных