Jean Hoerni (Жан Хорни)
Информационные технологии для экспертов
Логин: Пароль:
Войти через:
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:
IT-WIKI - Энциклопедия терминов, классификаций     версия для печати

 
PC4XP / IT-WIKI / Jean Hoerni (Жан Хорни)
Автор: Администратор

ИСТОЧНИКИ ДАННЫХ:

Jean Hoerni (Жан Хорни)

материал № 13230


Полное имя Жан Амеде Орни. Швейцарско-американский инженер. Член так называемой "предательской восьмерки". Был первоизобретателем кремниевых транзисторов. Он разработал планарный процесс производства полупроводников, который лег в основу производства всех современных микросхем.

Годы жизни: 26.09.1924 — 12.01.1997


Хорни родился 26 сентября 1924 года в Женеве, Швейцария. Он получил степень бакалавра наук. кандидат математики Женевского университета и два доктора физико-математических наук; один из Женевского университета, а другой из Кембриджского университета.

Хронология

1952 г. - Хорни переехал в Соединенные Штаты, чтобы работать в Калифорнийском технологическом институте, где познакомился с Уильямом Шокли, физиком Bell Labs, который принимал непосредственное участие в создании транзистора.

Несколько лет спустя Шокли нанял Хорни для работы с ним в недавно созданном подразделении лаборатории полупроводников Шокли компании Beckman Instruments в Маунтин-Вью, Калифорния. Но странное поведение Шокли заставило «предательскую восьмерку» (в составе Джулиус Бланк, Виктор Гринич, Юджин Кляйнер, Джей Ласт, Гордон Мур, Роберт Нойс, Шелдон Робертс и, собственно, Хорни) покинуть его лабораторию и создать собственную корпорацию Fairchild Semiconductor.

1958 г. - Хорни посетил собрание Электрохимического общества, на котором инженер Bell Labs Мохамед Аталла представил доклад о пассивации p-n-переходов диоксидом кремния и продемонстрировал пассивирующее его действие на поверхность кремния. Хорни был заинтригован и однажды утром придумал концепцию планарной технологии, размышляя об устройстве Аталлы. Воспользовавшись пассивирующим действием диоксида кремния на поверхность кремния, Хорни предложил создавать транзисторы, защищенные слоем диоксида кремния. Таким образом родилась планарная технология производства микросхем.

Планарный процесс сыграл решающую роль в изобретении первой кремниевой интегральной схемы Робертом Нойсом. Нойс опирался на работу Хорни с его концепцией интегральной схемы, которая добавляла слой металла к верхней части базовой структуры Хорни для соединения различных компонентов, таких как транзисторы, конденсаторы или резисторы, расположенных на одном и том же куске кремния. Планарный процесс обеспечил простой способ реализации интегральной схемы с огромным потенциалом на будущее. Что касается Нойса, то Джеку Килби из Texas Instruments обычно приписывают изобретение интегральной схемы, но ИС Килби была основана на германии. Как оказалось, кремниевые ИС имеют множество преимуществ перед германиевыми. Название «Кремниевая долина» относится к этому кремнию.

1961 г. - вместе с выпускниками «предательской восьмерки» Джеем Ластом и Шелдоном Робертсом Хорни основал компанию Amelco (Teledyne).
1964 г. - Хорни основал компанию Union Carbide Electronics.
1967 г. - Хорни основал компанию Intersil, где стал пионером низковольтных КМОП-интегральных схем.
1969 г. - награжден медалью Эдварда Лонгстрета от Института Франклина.
1972 г. - награжден премией Макдауэлла в 1972 году.


Теги: 
Просмотров: 656

1958

1958   Появление планарного (плоского) процесса производства полупроводников >>>

ID материала: 13227 / Просмотров: 397 / полупроводниковое производство

Сотрудник компании Fairchild Semiconductor International (США) Жан Эрни разработал планарный процесс производства полупроводников. В 1959 году эта технология была запатентована.

Планарный означает - плоский. Это такой способ производства полупроводников, при котором на единой кремниевой пластине формируются функциональные элементы транзисторов, диодов и других элементов схемы.

Для создания разнородные участков на однородной и монолитной кремниевой пластине (подложке) применяются различные технические процессы, такие как фотолитография, травление, металлизация, окисление, диффузия и прочие. Благодаря эффектам этих процессов на подложке формируются диэлектрические области, области, проводящие ток, позволяющие соединять между собой элементы схемы.

Планарный уже многие десятилетия процесс лежит в основе производства современных интегральных схем.



КОММЕНТАРИИ к "Jean Hoerni (Жан Хорни)"

Чтобы оставить комментарий, вам необходимо зарегистрироваться на сайте.
Комментировать



НАЗНАЧЕНИЕ КОРЗИНЫ

Корзина не предназначена для покупки товаров, поскольку сайт не занимается продажами.

Функция корзины заключается всборе компьютерных комплектующих в собственную базу (требуется регистрация на сайте) и сравнении их между собой.

Сбор компьютерных комплектующих в собственную базу: Эта фанкция необходима для виртуальной сборки компьютера. Требуется регистрация на сайте.

Сравнение комплектующих: Можно сравнить только комплектующие следующих групп: 1. Жёсткие диски. 2. Твердотельные диски. 3. Оперативная память. 4. Видеокарты. 5. Центральные процессоры. 6. Материнские платы.